Samsung bu hafta Sun Microsystems’la birlikte, dayanıklılığı yüksek 8 GB single-level hücreli bir NAND flash bellek çipini duyurdu. Verilen bilgiye göre bu gelişme katı hal disklerin hem yaşam süresini hem de performansını ciddi oranda artırabilir. Samsung’un açıklamaları yeni flash bellek çipinin, standart sunucu düzeyi SLC bellek cihazlarıyla karşılaştırıldığında yazma ve silme sürelerini beş kata kadar çıkarma potansiyeline sahip olduğu yönünde. Tipik olarak SLC NAND flash bellekler kullanılamaz duruma gelinceye kadar 100K yazma/silme döngüsü kadar hayatta kalabiliyor.   
Ürünün fiyatı ve ne zaman pazara çıkacağı konusunda henüz bir bilgi yok. Sun ve Samsung, kurumsal IT ortamlarındaki yüksek işlem taleplerini karşılamak üzere bu yeni flash bellek çipini geliştirdi. Yeni flash bellek Sun’ın sunucu ve depolama ürünleriyle uyumlu. Alınan bilgilere göre Samsung yeni çipin, üst seviye veri işleme uygulamalarında, veri yoğunluklu sunucu operasyonlarında ve depolama uygulamalarında kullanılmasını bekliyor. Analistler de kurumsal müşterilerin kısa bir zaman içinde katı hal depolama teknolojisini, geleneksel mekanik sürücülerin bir alternatifi olarak değerlendirmeye başlayacağını öngörüyor.